”还是“固态电容”，本职工作依然离不开充电、放电以及存储电量。但当它与搭配使用时，又会衍生出许多新功能，其中一种就是我们熟知的RC延时电路。先来看看下面的电路：

　　该电路中，我添加了TP3、TP4和TP5作为测试点，方便用示波器来测量数据验证结论。这是一个上电延时电路，元件Q1（MOSFET）控制着24V电源的开关状态；电阻器R19与R20组成的分压电路限制着Q1的栅极（G）电压（约20V）；此时的电容器BC17扮演着两个角色：交流导通与延时控制。

　　在系统上电启动瞬间，Q1由于是P-MOSFET（栅极低电平导通型，反之则是N-MOSFET），根据电容器两端抑制电压突变的特性（交流导通），上电瞬间BC17两端的电压均为24V，TP5的电压也是24V，因此Q1处于关闭状态，测试点TP4的电压为0；

　　由于上电的瞬间TP5电压达到了24V，电阻器R19的另一端接地，因此给BC17与R19所组成的RC延时电路提供了放电路径，制造出了一个约为540ms的MOSFET关闭时间。用示波器的三路探头分别接上TP3、TP4和TP5，可测得如下波形：

　　黄色信号（TP5）在上电之后约经过了540ms之后，红色信号（TP4）代表的MOSFET开始导通，状态变成了高电平。此时可以看到TP5的电平从上升到最高点的时候就开始缓慢下降，当电平到达21V左右，TP4的电平才开始上升，即Q1开关打开。

　　为什么会是21V呢？这是由MOSFET的导通阀值所决定的，而R19与R20组成的电压偏置电路则是为了设定这个阀值存在的。MOSFET的相关规格可以从数据手册里查到：

　　红色方框部分则是源极（S）与栅极（G）之间的导通阀值电压，其最大值不超过2.4V；刚才示波器所测得的V(GS)约为3V，足以保证MOSFET的导通。

　　最后我们需要做一个验证，即取消掉电容器BC17，用以证明其在延时电路中的地位。我们直接从原理图上面可以看出，没有了电容器的作用，系统在上电之后，24V直接是通过R19与R20的偏置而打开Q1，完全没有了先前的延时效果。

　　通过上述的对比验证，可以得知电容器在该延时电路中的核心地位，通过RC电路制造出540ms的延时，有效抑制了由开关抖动等原因引起的干扰和冲击，保护了后端的电路。

　　本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 01:22 编辑 1

　　[table=98%,rgb(238, 238, 238)][tr][td]1、滤波

　　：具有隔断直流、连通交流、阻止低频的特性，广泛应用在耦合、隔直、旁路、滤波、调谐、能量转换和自动控制等。1、滤波

　　，而VT1 集电极的直流点位则不会影响到VT2基极，VT1与VT2可以有各自适当的直流工作点，这就是

　　几乎是不可缺少的储能元件，它具有隔断直流、连通交流、阻止低频的特性。广泛应用在耦合、隔直、旁路、滤波、调谐、能量转换和自动控制等

　　分别是什么呢？希望大神帮忙解答一下，万分感谢（小明想在家门口安装一只声控灯，晚上有声音时灯亮，白天有、无声音均不亮。他设计了如

　　是什么？ /

　　两端的电压 U = Q / C ，电压是随着电荷的积累而上升的，这就是

　　时间计算公式 /

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