单相双NMOS半桥栅极驱动芯片 SA2601A是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT

　　近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A

　　封装IGBT单管 /

　　）而设计。 导热垫片是海绵状材料，需要均匀的压力和牢固的性能才能正常工作。 硬件组件的选择： 在良好的散热设计中，适当的硬件是一个极其重要的考虑因素。硬件必须通过

　　封装的全称为Heptawatt 高继电功率封装，是由施耐德(SEMETEY)公司开发的一种新型封装。它是基于

　　高压 MOSFET 和高压启动电路 •优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力 •多模式控制、无异音工作 •支持降压和升降压拓扑 •默认 12

　　变频异步电机，连续工作的允许耐压值是多少呢？ 比如说，变频器的直流母线

　　/10000UF电解充电，充电时间1.5s，瞬间功率比较大，请问一下LT3751能否做到，或者有其他合适方案

　　和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引线

　　圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（

　　/6A SiC二极管 /

　　的 CMOS 或 LSTTL 逻辑 输出电平。 高速风筒专用电机驱动芯片其浮动通道可 用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高 工作电压可达

　　。高速风筒专用电机驱动芯片采用 SOIC8 封装，可以在-40℃至 1

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