SCM1502A 继电178体育直播器节电控制芯片


  ,可以减少继电器的吸合与吸持功耗。 SCM1502A 内置启动电路,可以在输入电压 7V~40V 输入电压范围内,以大于 8mA 的充电电流完成此外,SCM1502A 还能控制继电器线圈实现大电流吸合与小电流吸持的切换,其吸合和吸持电流大小可自主设计,便于不同继电器的 应用。并且在小电流吸持阶段,发生输入欠压或用户不使能的情况,会激活快速关断功能,让继电器的快速断开,以减少 SCM1502A 对继电器断开性能的影响。

  VCC(Bypass 端):控制器的旁路电容端口,外接 bypass 电容 CVCC。上电后,内置的 LDO 电路给电容 CVCC充电,VCC 电压上升。当 VCC 电压被充 电到启动阈值 VVCC_ON时,控制器开始输出驱动信号,并且 LDO 电路会持续工作,最终维持 VCC=5.2V。

  VIN(输入):控制器的电源供电端口,可接 40V 以下的直流输入电压。该直流输入电压,经 VIN 内部的 LDO 电路降压输出至 VCC 引脚,VCC 引脚电 压最终会稳定在 5.2V。

  GT(驱动输出端):输出平均频率为 23.9kHz 的方波信号,在吸合阶段,为了确保吸合,允许出现 100%的占空比,但进入吸持阶段后,控制器限制最大 占空比为 75%,并在吸合和吸持阶段,方波频率有周期性的抖动,即每 6ms 内频率在±6.5%的范围内抖动。

  CSH(吸合电流检测):大电流检测引脚,只在吸合阶段控制 GT 引脚输出的方波信号的占空比,即当 CSH 引脚电压大于 0.6V 时,GT 引脚输出低电平。

  CSL(吸持电流检测):小电流检测引脚,只在吸持阶段控制 GT 引脚输出的方波信号的占空比,即当 CSL 引脚电压大于 0.3V 时,GT 引脚输出低电平。

  VT(输入电压检测):外接分压器采样输入电压,当 VT0.6V 时,计时 0.5ms,若 VT 仍小于 0.6V,则进入保护状态;此时只有当 VT0.8V,才能退出输入 欠压保护状态。

  FO(快速关断管驱动输出):在正常工作模式下,只要 GT 引脚输出高电平,则 VFO=VVCC-0.6-VCSL。为了能够将 FO 引脚充电至最大值,需要在 GT 引 脚信号的第一个上升沿出现后,VCSL还不是很大时,将 VFO充电至 VVCC-0.6,这样才能最大程度的降低快速关断管的导通电阻。在吸持阶段,若控制器进入输入欠压保护,则 FO 会抽取 1.45mA 的电流,使得快速关断管 TR1 工作在亚阈值区,电感的消磁电流斜率变大,进而减小继电器触头弹开的延时,详 见“快速关断”小节。

  注:若超出“最大额定值”表内列出的应力值,可能会对器件造成永久损坏。长时间工作在极限额定条件下,器件的可靠性有可能会受到影响。所有电压值都是以大地(GND)为参考基准。 电流是指定端子的正输入,负输出。

  VCC(Bypass 端):控制器的旁路电容端口,外接 bypass 电容 CVCC。上电后,内置的 LDO 电路给电容 CVCC充电,VCC 电压上升。当 VCC 电压被充 电到启动阈值 VVCC_ON时,控制器开始输出驱动信号,并且 LDO 电路会持续工作,最终维持 VCC=5.2V。

  VIN(输入):控制器的电源供电端口,可接 40V 以下的直流输入电压。该直流输入电压,经 VIN 内部的 LDO 电路降压输出至 VCC 引脚,VCC 引脚电 压最终会稳定在 5.2V。

  GT(驱动输出端):输出平均频率为 23.9kHz 的方波信号,在吸合阶段,为了确保吸合,允许出现 100%的占空比,但进入吸持阶段后,控制器限制最大 占空比为 75%,并在吸合和吸持阶段,方波频率有周期性的抖动,即每 6ms 内频率在±6.5%的范围内抖动。

  CSH(吸合电流检测):大电流检测引脚,只在吸合阶段控制 GT 引脚输出的方波信号的占空比,即当 CSH 引脚电压大于 0.6V 时,GT 引脚输出低电平。

  CSL(吸持电流检测):小电流检测引脚,只在吸持阶段控制 GT 引脚输出的方波信号的占空比,即当 CSL 引脚电压大于 0.3V 时,GT 引脚输出低电平。

  VT(输入电压检测):外接分压器采样输入电压,当 VT0.6V 时,计时 0.5ms,若 VT 仍小于 0.6V,则进入保护状态;此时只有当 VT0.8V,才能退出输入 欠压保护状态。

  FO(快速关断管驱动输出):在正常工作模式下,只要 GT 引脚输出高电平,则 VFO=VVCC-0.6-VCSL。为了能够将 FO 引脚充电至最大值,需要在 GT 引 脚信号的第一个上升沿出现后,VCSL还不是很大时,将 VFO充电至 VVCC-0.6,这样才能最大程度的降低快速关断管的导通电阻。在吸持阶段,若控制器进 入输入欠压保护,则 FO 会抽取 1.45mA 的电流,使得快速关断管 TR1 工作在亚阈值区,电感的消磁电流斜率变大,进而减小继电器触头弹开的延时,详见“快速关断”小节。

  注:若超出“最大额定值”表内列出的应力值,可能会对器件造成永久损坏。长时间工作在极限额定条件下,器件的可靠性有可能会受到影响。所有电压值都是以大地(GND)为参考基准。 电流是指定端子的正输入,负输出。

  (1)图 5,芯片启动时的工作原理见启动过程的工作原理图。芯片启动后,GT 会输出高电平,这时 FO 也会持续输出一个电流驱动 MOS 管 TR1。 FO 给 MOS 管 TR1 的栅极充电,电流 I

  的路径如下:当 MOS 管 TR2 导通时,FO 引脚就会通过 MOS 管 TR1 的体二极管和 MOS 管 TR2 这条路径 给电容 C4 充电,每次 MOS 管 TR2 导通时,FO 引脚都会给 C4 充电。所以在吸合阶段和吸持阶段,MOS 管 TR1 都是长通的。

  (3)图 7,在关断阶段,见关断阶段电路原理图。MOS 管 TR2 不导通,同时 FO 会抽电容 C4 的电流,抽电流 IFO_OFF的路径如下:通过 MOS 管 TR2 的体二极管、MOS 管 TR1 来抽 C4 的电流。这时 MOS 管 TR1 工作在亚阈值状态,MOS 管 TR1 的漏端电压比较大,电压值为 VTH+V

  ,其中 VTH为 TR1 的导通阈值电压,VDZ为稳压二极管 DZ 的稳压值。这时继电器线圈的去磁电压变大,线圈电流衰减得很快,最终达到快速关断的效果。


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