英飞凌与天岳先进签订全新晶圆和晶锭供应协议,进一步推动其碳化硅供应商体系多元化
【2023 年 5 月 3 日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司与中国碳化硅供应商山东天岳先进科技股份有限公司(以下简称“天岳先进”)签订一项新的晶圆和晶锭供应协议。该协议不仅可以让英飞凌多元化其碳化硅(SiC)材料供应商体系,还能够确保英飞凌获得更多具有竞争力的碳化硅材料供应。根据该协议,天岳先进将为德国半导体制造商英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅晶圆和晶锭,其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。
根据该协议,第一阶段将侧重于150毫米碳化硅材料的供应,但天岳先进也将助力英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆的过渡。此次合作将有助于保证整个供应链的稳定,尤其是满足中国市场在汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品不断增长的需求,并将推动新兴半导体材料碳化硅的快速发展。
英飞凌科技首席采购官Angelique van der Burg女士表示:“为了满足不断增长的碳化硅需求,英飞凌正在大幅提升其马来西亚和奥地利生产基地的产能。基于广大客户的利益,我们正在落实一项多供应商和多国采购战略以增加自身的供应链弹性, 并且正在全球范围内增加新的具有竞争力且符合市场最高标准的优质货源。”天岳先进董事长、总经理宗艳民表示:“天岳先进的衬底产品广泛应用于碳化硅功率半导体领域。我们十分高兴能与全球功率半导体市场的领导者,也是我们的客户英飞凌展开合作。天岳先进将持续扩大产能,为全球客户提供更多价值。英飞凌作为功率半导体领域的领导者,是我们的优秀战略客户,我们将予以高度的重视。同时,我们也期待与英飞凌携手促进碳化硅产业的发展,推动全球的数字化、低碳化进程以及可持续发展。”
英飞凌正着力提升碳化硅产能,以实现在2030年之前占据全球30%市场份额的目标。预计到2027年,英飞凌的碳化硅产能将增长10倍。英飞凌位于马来西亚居林的新工厂计划于2024年投产,届时将补充奥地利菲拉赫工厂的产能。迄今为止,英飞凌已向全球3,600多家汽车和工业客户提供碳化硅半导体产品。
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当地时间5月2日,德国芯片制造商英飞凌(Infineon)在其位于德国德累斯顿的新工厂举行动工仪式。英飞凌计划向该工厂投资约50亿欧元,并正在寻求约10亿欧元的额外公共资金。此项目是该公司历史上最大单笔投资,新工厂建成后将有助于实现到2030年欧盟半导体产量占全球20%份额的目标。 英飞凌首席执行官哈内贝克在动工仪式现场表示:“鉴于对可再生能源、数据中心和电动汽车的高需求,全球半导体需求将保持强劲增长。我们正在努力提高生产能力,并将生产模拟、混合信号和功率半导体。在德累斯顿建造300毫米智能动力晶圆厂,可以为满足半导体解决方案与日俱增的需求建立必要的先决条件,同时共同推动减碳和数字化趋势。” 据介绍,新工厂将作为一个“
APM32系列模块助力所有类型的电动汽车实现更快充电和更远续航里程 2022年9月29日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美,今天宣布推出三款基于碳化硅 (以下简称”SiC”) 的功率模块,采用压铸模技术,用于所有类型电动汽车 (以下简称“xEV”) 的车载充电和高压 (以下简称“HV”) DCDC转换。 APM32系列是把SiC技术和压铸模封装相结合的行业首创产品,可提高能效并缩短xEV的充电时间,专用于11 kW到22 kW的大功率车载充电器 (以下简称“OBC”)。 这三款模块都表现出低导通损耗和开关损耗的优势,结合同类最佳的热阻和高压隔离,可处理800 V总线电压。 更高的能效和更少的发热最终使OBC的性
、用于车载充电器的汽车功率模块 /
如今,生成式人工智能(AI)的迅猛发展带来了数据处理需求的爆炸性增长。目前全球约有8,500个数据中心,且今年计划再建设150个,以应对日益增长的数据存储和处理需求。这些数据中心不仅规模各异,而且随着技术的进步,它们正变得越来越高效和强大。特别是超大规模数据中心,它们能够容纳数以万计的机架,支撑着庞大的工作负载和处理能力。 数据中心电力挑战 数据中心的电力需求随着AI处理器数量的增加而急剧上升。通常一个机架中大约有 50 个 CPU,以及24个AI处理器,按照一个拥有10,000个机架的数据中心计算,可能包含240,000个AI处理器和500,000个CPU。这些处理器不仅需要大量的电力来运行,而且还需要高效的冷却系统来
展示全面解决方案 /
【2024年9月13日,中国上海讯】近日, 英飞凌宣布携手西安奇点能源股份有限公司,将为其提供业界领先的1200V 450A EconoDUAL™ 3功率模块,用于215kW工商业及源网侧eblock储能应用,依托于英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT7创新的产品,助力奇点能源打造高可靠、高效率的储能PCS系统。 英飞凌推出的EconoDUAL™ 3中功率IGBT模块封装,自面世以来,迅速赢得业界认可,成为市场上备受追捧的封装解决方案之一。该模块集成了英飞凌最新的TRENCHSTOP™ IGBT7芯片技术,不仅能显著提升功率密度,更在同一封装尺寸内将输出电流能力增强30%。同时,通过降低静态损耗,进一步提升效率,能实现性能的
助力奇点能源,打造高效可靠的工商业储能解决方案 /
虽然“续航焦虑”一直存在,但混合动力、纯电动等各种形式的电动汽车 (EV) 正被越来越多的人所接受。汽车制造商继续努力提高电动汽车的行驶里程并缩短充电时间,以克服这个影响采用率的重要障碍。电动汽车的易用性和便利性受到充电方式的显著影响。由于高功率充电站数量有限,相当一部分车主仍然需要依赖车载充电器 (OBC) 来为电动汽车充电。为了提高车载充电器的性能,汽车制造商正在探索采用碳化硅 (SiC) 等新技术。这篇技术文章将探讨车载充电器的重要性,以及半导体开关技术进步如何推动车载充电器的性能提升到全新水平。 如今市场上有多种使用不同推进系统的汽车,包括仅由内燃机 (ICE) 提供动力的汽车、结合使用内燃机和电力系统的混合动力汽车
将推动车载充电技术随电压等级的提高而发展 /
近年来,在国家“双碳”战略指引下,汽车行业油电切换提速,截至2022年新能源汽车渗透率已经超过25%。汽车电动化浪潮中,半导体增量主要来自于功率半导体,根据 Strategy Analytics,功率半导体在汽车半导体中的占比从传统燃油车的21%提升至纯电动车的55%,跃升为占比最大的半导体器件。 同其他车用电子零部件一样,车规级功率半导体也须通过AEC-Q100认证规范所涵盖的7大类别41项测试要求。对于传统的硅基半导体器件,业界已经建立了一套成熟有效的测试评估流程。而对于近两年被普遍应用于开发800V超充技术的三代半导体碳化硅(SiC)材料而言,由于其面世时间较短,缺陷暴露不充分,失效机理不清晰,对其进行科学有效的评估和验
性能评估整体测试解决方案 /
【2024年1月26日,德国慕尼黑和中国深圳讯】近日,英 飞凌宣布与全球领先的能源互联网核心电力设备及解决方案领军企业盛弘电气股份有限公司达成合作。 英飞凌将为盛弘提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件,配合EiceDRIVER™ 紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC, 从而进一步提升储能变流器的效率。 在“双碳”战略和新能源浪潮带动下,近年来,国内储能市场保持持续快速发展。据工信部统计,2023年上半年,新型储能装机规模达到863万千瓦,相当于此前历年累计装机规模总和。而储能系统的效率和功率密度是产品竞争力的重要因素,系统体积大小、重量,以及储能系统的成本等都与能源转换效率密切相关,也直接影
携手盛弘电气拓展储能市场, 共同推进绿色能源发展 /
8 月 27 日消息,据 AutoNews 报道,随着电动汽车行业的快速发展,越来越多的汽车制造商正转向内部生产电动汽车零部件。分析师指出,这一趋势可能会给希望在电动汽车市场立足的供应商带来挑战。 IT之家注意到,S&P Global Mobility 汽车咨询执行董事迈克尔・罗宾内特表示,供应商的零件可能占一辆汽车典型价值的 60-70%。随着越来越多的汽车制造商内部生产电动机、电池或车载软件等关键电动汽车零部件,这一比例可能会显著下降。 内部生产具有许多明显的优势,特斯拉的成功就是最好的证明,其垂直整合政策推动该公司从初创企业转型为成熟、盈利的汽车制造商。 罗宾内特指出,供应商和汽车制造商之间的动态关系正在发生变化,“行业已经
电力电子器件的进展
MOSFET功率模块行为模型及其低压辅助电源EMI预测研究_杜伟民
功率半导体器件基础 ((美)巴利加著;韩郑生,陆江,宋李梅等译;孙宝刚审校)
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直播回放: 英飞凌&英恒解说 - 如何选择一颗合适的车用 MOSFET
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